Η Taiwan Economic Daily ell afirma que el TSMC va aconseguir un descobriment intern important per a la seva disposició final tecnologia de litografia 2 nm.
ΣSegons la publicació, aquesta fita permet a TSMC és optimista sobre la implementació de la producció primerenca "Producció de risc" de 2 nm el 2023.
Encara són impressionants els informes que TSMC abandonarà la tecnologia FinFet per a un nou transistor d'efecte de camp de canals múltiples (MBCFET). basat en la tecnologia Gate-All-Around (GAA). Aquest important descobriment s'acosta un any després de la creació d'un equip indoor per part de TSMC, que pretenia obrir el camí per al desenvolupament de la litografia de 2 nm.
La tecnologia MBCFET amplia l'arquitectura GAAFET agafant el transistor d'efecte de camp Nanowire i "escampant-lo" per convertir-lo en un Nanosheet. La idea principal és fer el transistor d'efecte de camp en XNUMXD.
Aquest nou transistor semiconductor d'òxid metàl·lic complementari pot millorar el control del circuit i reduir les fuites de corrent. Aquesta filosofia de disseny no és exclusiva TSMC - Samsung planeja desenvolupar una variació d'aquest disseny en la seva tecnologia de litografia 3 nm.
Com sempre, una reducció addicional de l'escala de fabricació de xips té un cost enorme. En particular, el cost de desenvolupament de la litografia de 5 nm ja ha arribat als 476 milions de dòlars, mentre que Samsung afirma que la tecnologia GAA de 3 nm costarà més de 500 milions de dòlars. Per descomptat, el desenvolupament de la litografia 2 nm, superarà aquests imports...
No us oblideu de seguir-lo Xiaomi-miui.gr en Google News per estar informat immediatament de tots els nostres nous articles!
