Impulsat pel V-NAND de 5a generació de Samsung, el nou Universal Flash Storage ofereix 20 vegades més espai d'emmagatzematge que els 64 GB d'emmagatzematge intern i una velocitat 10 vegades més ràpida que una targeta microSD estàndard per a aplicacions intensives en dades.
Η Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnologia de memòria avançada, ha anunciat avui la producció en massa del primer Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 integrat de mida terabyte del sector per utilitzar-lo en aplicacions mòbils de nova generació. Només quatre anys després de l'anunci de la primera solució UFS, l'eUFS de 128 GB, Samsung va superar l'esperat límit d'un terabyte en l'emmagatzematge dels telèfons intel·ligents. Els entusiastes dels telèfons intel·ligents aviat podran gaudir d'una capacitat d'emmagatzematge comparable a la d'un ordinador portàtil premium, sense haver d'afegir targetes de memòria addicionals als seus telèfons mòbils.
"S'espera que l'eUFS d'1 TB tingui un paper important en la creació d'una experiència d'usuari millorada en dispositius mòbils de nova generació, similar a la dels ordinadors portàtils", va dir Cheol Choi, vicepresident executiu de vendes i màrqueting de memòria de Samsung Electronics. "Samsung també es compromet a assegurar la cadena de subministrament més fiable i volums de producció suficients per donar suport al llançament dels propers telèfons intel·ligents emblemàtics, amb l'objectiu d'accelerar el creixement del mercat mundial de telefonia mòbil".
Mantenint la mateixa mida del paquet (11.5 mm x 13.0 mm), la solució eUFS d'1 TB duplica la capacitat de la versió anterior de 512 GB, combinant 16 capes de memòria flash V-NAND de 512 GB més avançada i un controlador de memòria patentat recentment desenvolupat. Els usuaris de telèfons intel·ligents podran emmagatzemar 260 vídeos de deu minuts en resolució 4K UHD (3840X2160), mentre que l'eUFS estàndard de 64 GB, que es mostra a la majoria dels telèfons intel·ligents moderns, pot emmagatzemar 13 vídeos de la mateixa mida.
1TB eUFS és extremadament ràpid, permetent als usuaris transferir contingut multimèdia gran en molt menys temps. A velocitats de fins a 1.000 megabytes per segon (MB/s), el nou eUFS té aproximadament el doble de la velocitat de lectura seqüencial d'un SSD SATA estàndard de 2.5 polzades. Això significa que es poden descarregar vídeos Full HD de 5 GB a un SSD NVMe en només cinc segons, que és 10 vegades més ràpid que una targeta microSD estàndard. A més, la velocitat de lectura aleatòria s'ha incrementat un 38% en comparació amb la versió de 512 GB, arribant als 58.000 IOPS. Els registres aleatoris són 500 vegades més ràpids que una targeta microSD d'alt rendiment (100 IOPS), arribant als 50.000 IOPS. Les velocitats aleatòries permeten disparar contínuament a alta velocitat a 960 fotogrames per segon i ofereixen als usuaris de telèfons intel·ligents l'oportunitat de treure el màxim profit de les capacitats multicàmera dels dispositius moderns i dels vaixells insígnia de nova generació.
Durant el primer semestre del 2019, Samsung té previst ampliar la producció de la nova generació V-NAND de 512 GB a la seva planta de Corea per gestionar l'alta demanda de l'esperat eUFS d'1 TB dels fabricants de dispositius mòbils d'arreu del món.
[the_ad_group id = ”966 ″]
